Mosfet

RM50N06PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET – Beschreibung: Diese MOSFETs stammen von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Fortschrittliche 6-Zoll-Technologie für einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch verbraucht dieser MOSFET im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit erhöht.

RM45N06PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET – Beschreibung: Dieser MOSFET stammt von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Fortschrittliche 6-Zoll-Technologie für einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch verbraucht dieser MOSFET im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit erhöht.

RM30N20PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET – Beschreibung: Dieser MOSFET stammt von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Dank fortschrittlicher 6-Zoll-Technologie erreicht er einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch verbraucht dieser MOSFET im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit erhöht.

RM40N10PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET – Beschreibung: Dieser MOSFET stammt von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Dank fortschrittlicher 6-Zoll-Technologie erreicht er einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch verbraucht dieser MOSFET im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit erhöht.

RM40N10PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET – Beschreibung: Diese MOSFETs von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. verfügen über fortschrittliche 6-Zoll-Technologie für einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch verbrauchen diese MOSFETs im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit erhöht.

Diese MOSFETs stammen von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Dank fortschrittlicher 6-Zoll-Technologie wird ein extrem niedriger statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on) erreicht. Dadurch verbraucht dieser MOSFET im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit erhöht.

RVS35N60PN ist ein 2-Kanal-Hochspannungs-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, hergestellt mit Rongtech DP MOS-Technologie. Er zeichnet sich durch geringe Leitungs- und Schaltverluste aus. Er ermöglicht Konstrukteuren die Entwicklung von Leistungswandlern mit hohem Wirkungsgrad, hoher Leistungsdichte und hervorragendem thermischen Verhalten. Darüber hinaus ist er universell einsetzbar und eignet sich für harte und weiche Schalttopologien.

RVS24N60F/PT ist ein N-Kanal-Hochspannungs-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, der auf der neuen Plattform der Rongtech Mos-Technologie hergestellt wird. Er zeichnet sich durch geringe Leitungs- und Schaltverluste aus. Er ermöglicht Konstrukteuren die Entwicklung von Leistungswandlern mit hohem Wirkungsgrad, hoher Leistungsdichte und hervorragendem thermischen Verhalten. Darüber hinaus ist er universell einsetzbar und eignet sich für harte und weiche Schalttopologien.

RVS20N65F/S/PN ist ein N-Kanal-Hochspannungs-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, hergestellt mit der DP-MOS-Technologie von Rongtech. Er zeichnet sich durch geringe Leitungs- und Schaltverluste aus. Er ermöglicht Konstrukteuren die Entwicklung von Leistungswandlern mit hohem Wirkungsgrad, hoher Leistungsdichte und hervorragendem thermischen Verhalten. Darüber hinaus ist er universell einsetzbar und eignet sich für harte und weiche Schalttopologien.