RVS24N60F/PT Datenblatt 24A, 600V DP MOS-LEISTUNGSTRANSISTOR
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
RVS24N60F/PT ist ein N-Kanal-Hochspannungs-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, der auf der neuen Plattform der Rongtech Mos-Technologie hergestellt wird. Er zeichnet sich durch geringe Leitungs- und Schaltverluste aus. Er ermöglicht Konstrukteuren die Entwicklung von Leistungswandlern mit hohem Wirkungsgrad, hoher Leistungsdichte und hervorragendem thermischen Verhalten. Darüber hinaus ist er universell einsetzbar und eignet sich für harte und weiche Schalttopologien.
RVS24N60F/PT Datenblatt 24A, 600V DP MOS LEISTUNGSTRANSISTOR FUNKTIONEN
24 A, 600 V
Neue revolutionäre Hochspannungstechnologie
Extrem niedrige Gate-Ladung
Periodische Lawinenbewertung
Extrem dv/dt-zertifiziert
Hohe Spitzenstrombelastbarkeit
RVS24N60F/PT Datenblatt 24A, 600V DP MOS LEISTUNGSTRANSISTOR Daten
