Mosfet

RVS47N60P/PT ist ein 2-Kanal-Hochspannungs-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, der auf der neuen Plattform der Rongtech-MOS-Technologie hergestellt wird. Er zeichnet sich durch geringe Leitungs- und Schaltverluste aus. Er ermöglicht Konstrukteuren die Entwicklung von Leistungswandlern mit hohem Wirkungsgrad, hoher Leistungsdichte und hervorragendem thermischen Verhalten. Darüber hinaus ist er universell einsetzbar und eignet sich für harte und weiche Schalttopologien.

RVF3878PN ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOS-Feldeffekttransistor, der mit der proprietären F-Cell™M-Struktur-VDMOS-Technologie von Rongtec hergestellt wird. Die verbesserte planare Streifenzelle und der verbesserte Schutzringanschluss wurden speziell entwickelt, um den Durchlasswiderstand zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und energiereichen Impulsen im Avalanche- und Kommutierungsmodus standzuhalten. Diese Bauelemente werden häufig in AC/DC-Stromversorgungen, DC/DC-Wandlern und H-Brücken-PM-Motortreibern eingesetzt.

RVF4N90F/MJ ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOS-Feldeffekttransistor, der mit der proprietären F-Cell-Struktur von Rongtec, VDMOS-Technologie, hergestellt wird. Die verbesserte planare Streifenzelle und der verbesserte Schutzringanschluss wurden speziell entwickelt, um den Durchlasswiderstand zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und hohen Energieimpulsen im Avalanche- und Kommutierungsmodus standzuhalten. Diese Bauelemente werden häufig in AC/DC-Stromversorgungen, DC/DC-Wandlern und H-Brücken-PM-Motortreibern eingesetzt.

Der RVT10180NT/D ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOS-Feldeffekttransistor, der mit RongteLVMOS-Technologie hergestellt wird. Der verbesserte Prozess und die Zellstruktur wurden speziell darauf ausgelegt, den Durchlasswiderstand zu minimieren und so eine hervorragende Schaltleistung zu gewährleisten. Dieses Bauelement wird häufig in den Bereichen unterbrechungsfreie Stromversorgung und Energiemanagement von Wechselrichtersystemen eingesetzt.

RM110N06PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET – Beschreibung: Diese MOSFETs stammen von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Fortschrittliche 6-Zoll-Technologie für einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch zeichnet sich dieser MOSFET durch einen geringen Energieverbrauch im Betrieb aus, was die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit erhöht.

Beschreibung des Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET RM110N06PA: Dieser MOSFET von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. nutzt fortschrittliche 6-Zoll-Technologie für einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch verbraucht dieser MOSFET im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit erhöht.

RM75N08PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET – Beschreibung: Diese MOSFETs stammen von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Dank fortschrittlicher 6-Zoll-Technologie erreichen sie einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch verbrauchen diese MOSFETs im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit erhöht.

RM70N06PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET – Beschreibung: Dieser MOSFET stammt von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Fortschrittliche 6-Zoll-Technologie für einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch verbraucht dieser MOSFET im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit erhöht.

RM60N10PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET – Beschreibung: Dieser MOSFET stammt von Rongtech Industry (Shang Hai) Inc. Fortschrittliche 6-Zoll-Technologie für einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch verbraucht dieser MOSFET im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit erhöht.