RVS47N60PN/PT Datenblatt 47A, 600V DP MOS-LEISTUNGSTRANSISTOR
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
RVS47N60P/PT ist ein 2-Kanal-Hochspannungs-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, der auf der neuen Plattform der Rongtech-MOS-Technologie hergestellt wird. Er zeichnet sich durch geringe Leitungs- und Schaltverluste aus. Er ermöglicht Konstrukteuren die Entwicklung von Leistungswandlern mit hohem Wirkungsgrad, hoher Leistungsdichte und hervorragendem thermischen Verhalten. Darüber hinaus ist er universell einsetzbar und eignet sich für harte und weiche Schalttopologien.
RVS47N60PN/PT Datenblatt 47A, 600V DP MOS LEISTUNGSTRANSISTOR FUNKTIONEN
1,47 A, 600 V
2. Neue revolutionäre Hochspannungstechnologie
3. Ultraniedrige Gate-Ladung
4. Periodische Lawinenbewertung
5. Extrem dv/dt bewertet
6. Hohe Spitzenstrombelastbarkeit
RVS47N60PN/PT Datenblatt 47A, 600V DP MOS LEISTUNGSTRANSISTOR Daten
