RVF3878PN Datenblatt 9A, 900V N-KANAL-MOSFET
RVF3878PN Datenblatt 9A, 900V N-KANAL-MOSFET
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
RVF3878PN ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOS-Feldeffekttransistor, der mit der proprietären F-Cell™M-Struktur-VDMOS-Technologie von Rongtec hergestellt wird. Die verbesserte planare Streifenzelle und der verbesserte Schutzringanschluss wurden speziell entwickelt, um den Durchlasswiderstand zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und energiereichen Impulsen im Avalanche- und Kommutierungsmodus standzuhalten. Diese Bauelemente werden häufig in AC/DC-Stromversorgungen, DC/DC-Wandlern und H-Brücken-PM-Motortreibern eingesetzt.
RVF3878PN Datenblatt 9A, 900V N-KANAL-MOSFET-FUNKTIONEN
1,9 A, 900 V
2. Niedrige Gate-Ladung
3. Niedriges Kreuz
4. Schnelles Umschalten
5. Verbesserte dv/dt-Fähigkeit
RVF3878PN Datenblatt 9A, 900V N-KANAL-MOSFET-Daten
Größe und Tag:
