FRD-Dioden/FRD-Module
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RFM200CC4A2D FRD-Modul
Beschreibung des Moduls RFM200CC4A2D FRD: Das Modul SFM200CC4A2D mit niedriger Durchlassspannung und geringem Sperrverzögerungsverlust bietet optimale Leistung für Schweißgeräte.
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RHR10F40DF
Beschreibung der RHR10F40DF: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen (EMI/RFI) in Hochfrequenz-Leistungsaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden macht sie in den meisten Anwendungen als Snubber erforderlich. Diese Bauelemente eignen sich ideal für HF-Schweißstromrichter und andere Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.
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RHR8F60SN
Beschreibung der RHR8F60SN: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen (EMI/RFI) in Hochfrequenz-Leistungsaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden macht sie in den meisten Anwendungen als Snubber erforderlich. Diese Bauelemente eignen sich ideal für HF-Schweißstromrichter und andere Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.
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RHR8F60SC2
Beschreibung von RHR8F60SC2: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen (EMI/RFI) in Hochfrequenz-Leistungsaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden macht sie in den meisten Anwendungen als Snubber erforderlich. Diese Bauelemente eignen sich ideal für HF-Schweißstromrichter und andere Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.
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RHR8F120SC2
Beschreibung der RHR8F120SC2: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen (EMI/RFI) in Hochfrequenz-Stromaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden ist ideal für Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.
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heiß
R60FP30DN FRD-Diode
Beschreibung der R60FP30DN: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen (EMI/RFI) in Hochfrequenz-Leistungsaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden macht sie in den meisten Anwendungen als Snubber erforderlich. Diese Bauelemente eignen sich ideal für HF-Schweißstromrichter und andere Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.
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RFR60F30APN FRD-Diode
RFR60F30APN FRD-Diode – allgemeine Beschreibung: Die FR60F30APN ist eine ultraschnelle Freilaufdiode, hergestellt mit fortschrittlicher Silizium-Planarepitaxie-Technologie. Die Prozessparameter und die Gerätestruktur sind fein abgestimmt und bieten optimale Leistung hinsichtlich Durchlassspannungsabfall und Sperrverzögerungszeit.
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Präzise epitaktische Dotierungskontrolle, fortschrittliche planare Anschlussstruktur und die platindotierte Lebensdauerkontrolle garantieren die beste Gesamtleistung
Leistung, Robustheit und Zuverlässigkeit.
SR60F30PN ist für den Einsatz in der Ausgangsgleichrichtungsstufe von SMPS, USV, DC-DC-Wandlern sowie Freilaufdioden in niedrigen
Spannungswechselrichter und Chopper-Motortreiber. -
RFR30F40PN FRD-Diode
RFR30F40PN FRD-Diode – Funktionen: Ultraschnelle Wiederherstellung, 175 °C Betriebstemperatur an der Sperrschicht, Hochfrequenzbetrieb, geringer Leistungsverlust, weniger RFI und EMI, niedriger Ir-Wert, hohe Stoßspannungsfestigkeit, epitaktische Chipkonstruktion.
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RHR30F120DK
Beschreibung der RHR30F120DK: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen (EMI/RFI) in Hochfrequenz-Leistungsaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden ist ideal für HF-Schweißstromrichter und andere Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.
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