FRD-Dioden/FRD-Module

  • R30FP60DN

    R30FP60DN

    Beschreibung der R30FP60DN: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen/HF-Störungen in Hochfrequenz-Leistungsaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden macht sie in den meisten Anwendungen als Snubber erforderlich. Diese Bauelemente eignen sich ideal für HF-Schweißstromrichter und andere Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.

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  • RFR30F60PN FRD-Diode

    RFR30F60PN FRD-Diode

    Beschreibung der RFR30F60PN FRD-Dioden: Die FR30F60PN ist eine superschnelle Freilaufdiode, die mit fortschrittlicher Silizium-Planarepitaxie-Technologie hergestellt wird. Die Prozessparameter und die Gerätestruktur sind fein abgestimmt und bieten optimale Leistung hinsichtlich Durchlassspannungsabfall und Sperrverzögerungszeit.
     Präzise epitaktische Dotierungskontrolle, fortschrittliche planare Anschlussstruktur und platindotierte Lebensdauerkontrolle garantieren beste Gesamtleistung, Robustheit und Zuverlässigkeit.
    RFR30F60T2/PN ist für den Einsatz in der Ausgangsgleichrichtungsstufe von SMPS, USV, DC-DC-Wandlern sowie als Freilaufdiode in Niederspannungswechselrichtern und Chopper-Motortreibern vorgesehen.

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  • RHR40F20SK2

    RHR40F20SK2

    Beschreibung der RHR40F20SK2: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen (EMI/RFI) in Hochfrequenz-Leistungsaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden macht sie in den meisten Anwendungen als Snubber erforderlich. Diese Bauelemente eignen sich ideal für HF-Schweißstromrichter und andere Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.

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  • RL42040S

    RL42040S

    Beschreibung der RL42040S: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen (EMI/RFI) in Hochfrequenz-Leistungsaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden macht sie in den meisten Anwendungen als Snubber erforderlich. Diese Bauelemente eignen sich ideal für HF-Schweißstromrichter und andere Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.

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  • RL42060S FRD-Diode

    RL42060S FRD-Diode

    Beschreibung der RL42060S: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen (EMI/RFI) in Hochfrequenz-Leistungsaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden macht sie in den meisten Anwendungen als Snubber erforderlich. Diese Bauelemente eignen sich ideal für HF-Schweißstromrichter und andere Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.

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  • RHR60F40DB

    RHR60F40DB

    Beschreibung der RHR60F40DB: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen (EMI/RFI) in Hochfrequenz-Leistungsaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden macht sie in den meisten Anwendungen als Snubber erforderlich. Diese Bauelemente eignen sich ideal für HF-Schweißstromrichter und andere Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.

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  • RHR16F20DF

    RHR16F20DF

    Beschreibung der RHR16F20DF: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen (EMI/RFI) in Hochfrequenz-Leistungsaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden macht sie in den meisten Anwendungen als Snubber erforderlich. Diese Bauelemente eignen sich ideal für HF-Schweißstromrichter und andere Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.

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  • RL42020S

    RL42020S

    Beschreibung der RL42020S: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen (EMI/RFI) in Hochfrequenz-Leistungsaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden macht sie in den meisten Anwendungen als Snubber erforderlich. Diese Bauelemente eignen sich ideal für HF-Schweißstromrichter und andere Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.

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  • RHR50F40DB

    RHR50F40DB

    Beschreibung der RHR50F40DB: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen (EMI/RFI) in Hochfrequenz-Leistungsaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden macht sie in den meisten Anwendungen als Snubber erforderlich. Diese Bauelemente eignen sich ideal für Hochfrequenz-Schweißstromrichter und andere Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.

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