RHR50F40DB
RHR50F40DB
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
Beschreibung der RHR50F40DB: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen (EMI/RFI) in Hochfrequenz-Leistungsaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden macht sie in den meisten Anwendungen als Snubber erforderlich. Diese Bauelemente eignen sich ideal für Hochfrequenz-Schweißstromrichter und andere Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.
RHR50F40DB Features
1. Ultrafast Recovery
2. 175°C operating junction temperature
3. High frequency operation
4. Low power loss, less RFl and EMI
5. Low Ir value
6. High surge capacity
7. Epitaxial chip construction
RHR50F40DB data
Größe und Tag:
