RM110N06PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
RM110N06PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
RM110N06PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET – Beschreibung: Diese MOSFETs stammen von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Fortschrittliche 6-Zoll-Technologie für einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch zeichnet sich dieser MOSFET durch einen geringen Energieverbrauch im Betrieb aus, was die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit erhöht.
RM110N06PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Anwendungen
1. Leistungsschaltanwendung
2. Gleichstrommotorsteuerung
3. USV
RM110N06PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Daten
Größe und Tag:
