RVF4N90F/MJ_ Datenblatt 4A, 900V N-KANAL-MOSFET
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
RVF4N90F/MJ ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOS-Feldeffekttransistor, der mit der proprietären F-Cell-Struktur von Rongtec, VDMOS-Technologie, hergestellt wird. Die verbesserte planare Streifenzelle und der verbesserte Schutzringanschluss wurden speziell entwickelt, um den Durchlasswiderstand zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und hohen Energieimpulsen im Avalanche- und Kommutierungsmodus standzuhalten. Diese Bauelemente werden häufig in AC/DC-Stromversorgungen, DC/DC-Wandlern und H-Brücken-PM-Motortreibern eingesetzt.
RVF4N90F/MJ_ Datenblatt 4A, 900V N-KANAL-MOSFET-FUNKTIONEN
1,4 A, 900 V
2. Niedrige Gate-Ladung
3. Niedriges Kreuz
4. Schnelles Umschalten
5. Verbesserte dv/dt-Fähigkeit
RVF4N90F/MJ_ Datenblatt 4A, 900V N-KANAL-MOSFET-Daten
