RVT10180NT/D Datenblatt 45A, 100V N-KANAL-MOSFET
RVT10180NT/D Datenblatt 45A, 100V N-KANAL-MOSFET
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
Der RVT10180NT/D ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOS-Feldeffekttransistor, der mit RongteLVMOS-Technologie hergestellt wird. Der verbesserte Prozess und die Zellstruktur wurden speziell darauf ausgelegt, den Durchlasswiderstand zu minimieren und so eine hervorragende Schaltleistung zu gewährleisten. Dieses Bauelement wird häufig in den Bereichen unterbrechungsfreie Stromversorgung und Energiemanagement von Wechselrichtersystemen eingesetzt.
RVT10180NT/D Datenblatt 45A, 100V N-KANAL-MOSFET-FUNKTIONEN
1. 45 A, 100 V, niedrige Gate-Ladung
2. Niedrige Gate-Ladung
3. Niedriges Kreuz
4. Schnelles Umschalten
5. Verbesserte dv/dt-Fähigkeit
RVT10180NT/D Datenblatt 45A, 100V N-KANAL-MOSFET-Daten
Größe und Tag:
