RM60N10PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
RM60N10PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
RM60N10PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET – Beschreibung: Dieser MOSFET stammt von Rongtech Industry (Shang Hai) Inc. Fortschrittliche 6-Zoll-Technologie für einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch verbraucht dieser MOSFET im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit erhöht.
RM60N10PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Anwendungen
1. Leistungsschaltanwendung
2. Gleichstrommotorsteuerung
3. USV
RM60N10PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Daten
Größe und Tag:
