rm110n06pa silizium-n-kanal-leistungs-mosfet
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RM110N06PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Beschreibung des Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET RM110N06PA: Dieser MOSFET von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. nutzt fortschrittliche 6-Zoll-Technologie für einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch verbraucht dieser MOSFET im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit erhöht.
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