RVS20N65F/S/PN Datenblatt 20A, 650V DP MOS-LEISTUNGSTRANSISTOR
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
RVS20N65F/S/PN ist ein N-Kanal-Hochspannungs-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, hergestellt mit der DP-MOS-Technologie von Rongtech. Er zeichnet sich durch geringe Leitungs- und Schaltverluste aus. Er ermöglicht Konstrukteuren die Entwicklung von Leistungswandlern mit hohem Wirkungsgrad, hoher Leistungsdichte und hervorragendem thermischen Verhalten. Darüber hinaus ist er universell einsetzbar und eignet sich für harte und weiche Schalttopologien.
RVS20N65F/S/PN Datenblatt 20A, 650V DP MOS LEISTUNGSTRANSISTOR Funktionen
1,20 A, 650 V
2. Neue revolutionäre Hochspannungstechnologie
3. Ultraniedrige Gate-Ladung
4. Periodische Lawinenbewertung
5. Extrem dv/dt bewertet
6. Hohe Spitzenstrombelastbarkeit
RVS20N65F/S/PN Datenblatt 20A, 650V DP MOS LEISTUNGSTRANSISTOR Daten
