RM30N20PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
RM30N20PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
RM30N20PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET – Beschreibung: Dieser MOSFET stammt von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Dank fortschrittlicher 6-Zoll-Technologie erreicht er einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch verbraucht dieser MOSFET im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit erhöht.
RM30N20PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Anwendungen
1. Leistungsschaltanwendung
2. Gleichstrommotorsteuerung
3. USV
RM30N20PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Daten
Größe und Tag:
