rm30n20pk silizium-n-kanal-leistungs-mosfet
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RM30N20PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
RM30N20PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET – Beschreibung: Dieser MOSFET stammt von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Dank fortschrittlicher 6-Zoll-Technologie erreicht er einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch verbraucht dieser MOSFET im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit erhöht.
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