RVS35N60PN Datenblatt 35A, 600V DP MOS-LEISTUNGSTRANSISTOR
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
RVS35N60PN ist ein 2-Kanal-Hochspannungs-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, hergestellt mit Rongtech DP MOS-Technologie. Er zeichnet sich durch geringe Leitungs- und Schaltverluste aus. Er ermöglicht Konstrukteuren die Entwicklung von Leistungswandlern mit hohem Wirkungsgrad, hoher Leistungsdichte und hervorragendem thermischen Verhalten. Darüber hinaus ist er universell einsetzbar und eignet sich für harte und weiche Schalttopologien.
RVS35N60PN Datenblatt 35A, 600V DP MOS LEISTUNGSTRANSISTOR FUNKTIONEN
1. 35 A, 600 V,
2. Neue revolutionäre Hochspannungstechnologie
3. Ultraniedrige Gate-Ladung
4. Periodische Lawinenbewertung
5. Extrem dv/dt bewertet
6. Hohe Spitzenstrombelastbarkeit
RVS35N60PN Datenblatt 35A, 600V DP MOS LEISTUNGSTRANSISTOR Daten
