RM20N10PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

RM20N10PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
Diese MOSFETs stammen von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Dank fortschrittlicher 6-Zoll-Technologie wird ein extrem niedriger statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on) erreicht. Dadurch verbraucht dieser MOSFET im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit erhöht.
RM20N10PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Anwendung
Leistungsschaltanwendung
Gleichstrommotorsteuerung
USV
RM20N10PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Daten
Größe und Tag: