rm20n10pa silizium-n-kanal-leistungs-mosfet
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RM20N10PA Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Diese MOSFETs stammen von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Dank fortschrittlicher 6-Zoll-Technologie wird ein extrem niedriger statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on) erreicht. Dadurch verbraucht dieser MOSFET im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit erhöht.
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