rm40n10pk silizium-n-kanal-leistungs-mosfet
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RM40N10PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
RM40N10PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET – Beschreibung: Diese MOSFETs von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. verfügen über fortschrittliche 6-Zoll-Technologie für einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch verbrauchen diese MOSFETs im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit erhöht.
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