RM40N10PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
RM40N10PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
RM40N10PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET – Beschreibung: Diese MOSFETs von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. verfügen über fortschrittliche 6-Zoll-Technologie für einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Dadurch verbrauchen diese MOSFETs im Betrieb wenig Energie, was die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit erhöht.
RM40N10PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Anwendungen
1. Leistungsschaltanwendung
2. Gleichstrommotorsteuerung
3. Gleichstrommotorsteuerung
RM40N10PK Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Daten
Größe und Tag:
