SiC und GaN

Merkmale des SiC-MOSFET-Moduls RSC150TL65A8H-S09:
1.Ultra niedriger Verlust
2. Hochfrequenzbetrieb
3. Schnelle Rückwärtswiederherstellung
4. Null-Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET
5. Normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung
6.Press Fit Signalstifte
7.NTC-Temperatursensor im Inneren
8. Bleifrei, RoHS-konform

Merkmale des RSC300HF170T2NH-Daten-SiC-MOSFET-Moduls:
• Extrem geringer Verlust
• Hochfrequenzbetrieb
• Null Sperrverzögerungsstrom von der Diode
• Null-Abschaltstrom vom MOSFET
• Normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb
• Einfache Parallelschaltung
• Kupfergrundplatte und Aluminiumnitrid-Isolator

RTS06508-Funktionen: Null Sperrverzögerungsstrom, Null Vorwärtsverzögerungsspannung, temperaturunabhängiges Schaltverhalten, Hochtemperaturbetrieb, Hochfrequenzbetrieb.

RTS06506-Funktionen: Null Sperrverzögerungsstrom, Null Vorwärtsverzögerungsspannung, temperaturunabhängiges Schaltverhalten, Hochtemperaturbetrieb, Hochfrequenzbetrieb.

Funktionen des RTS12005: Null Sperrverzögerungsstrom, Null Vorwärtsverzögerungsspannung, temperaturunabhängiges Schaltverhalten, Hochtemperaturbetrieb, Hochfrequenzbetrieb.

RTS06504-Funktionen: Null Sperrverzögerungsstrom, Null Vorwärtsverzögerungsspannung, temperaturunabhängiges Schaltverhalten, Hochtemperaturbetrieb, Hochfrequenzbetrieb.

RTQ12080T3 30000 Funktionen: Hohe Spannung, niedriger Einschaltwiderstand; Hohe Geschwindigkeit, geringe parasitäre Kapazität; Hohe Betriebstemperatur der Sperrschicht; Schnelle Wiederherstellungskörperdiode.

Funktionen des RTS120010: Null Rückwärtserholungsstrom, Null Vorwärtserholungsspannung, temperaturunabhängiges Schaltverhalten, Hochtemperaturbetrieb, Hochfrequenzbetrieb.

Funktionen des RTS12008: Null Sperrverzögerungsstrom, Null Vorwärtsverzögerungsspannung, temperaturunabhängiges Schaltverhalten, Hochtemperaturbetrieb, Hochfrequenzbetrieb.