SiC und GaN
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RSC300FF^20C8NS-S04 SiC-MOSFET-Modul
RSC300FF^20C8NS-S04 SiC-MOSFET-Modulfunktionen: Automobilqualifiziert auf Basis von AEC Q101, extrem geringer Verlust, Hochfrequenzbetrieb, Null-Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET, normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, geringe Streuinduktivität, >4 kV DC 1 Sek. Isolierung, direkt gekühlte Pinfin-Grundplatte, gehärtete DBC-Substrate für höchste Zuverlässigkeit, integrierter NTC-Temperatursensor, Signalanschlüsse mit Presspassung, UL 94 V0-Modulrahmen, bleifrei, entspricht den RoHS-Anforderungen.
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RSC400FF120C8NS-S04 SiC-MOSFET-Modul
RSC400FF120C8NS-S04 SiC-MOSFET-Modulfunktionen: Automobilqualifiziert auf Basis von AEC Q101, extrem geringer Verlust, Hochfrequenzbetrieb, Null-Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET, normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, geringe Streuinduktivität, >4 kV DC 1 Sek. Isolierung, direkt gekühlte Pinfin-Grundplatte, gehärtete DBC-Substrate für höchste Zuverlässigkeit, integrierter NTC-Temperatursensor, Signalanschlüsse mit Presspassung, UL 94 V0-Modulrahmen, bleifrei, entspricht den RoHS-Anforderungen.
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RSC510FF120C8S-S07 SiC-MOSFET-Modul
RSC510FF120C8S-S07 SiC-MOSFET-Modulfunktionen: Automobilqualifiziert auf Basis von AEC Q101, niedriger RDS(on), Hochfrequenzbetrieb mit hoher Sperrspannung, resistent gegen Latch-up, hoher Gate-Widerstand für Antriebe, niedrige Streuinduktivität, >4 kV DC 1 Sek. Isolierung, direkt gekühlte Pinfin-Kupfergrundplatte, Si3N4 DBC-Isolator, Signalanschlüsse mit Presspassung, UL 94 V0-Modulrahmen, bleifrei, entspricht den RoHS-Anforderungen.
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RSC400L65A8H-S09 SiC-MOSFET-Modul
Funktionen des SiC-MOSFET-Moduls RSC400L65A8H-S09: Extrem geringer Verlust, Hochfrequenzbetrieb, schnelle Rückwärtswiederherstellung, Null-Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET, normalerweise ausgeschaltet, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, Press-Fit-Signalstifte, NTC-Temperatursensor im Inneren, bleifrei, entspricht den RoHS-Anforderungen.
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RSC400FF120C8NS-S17 SiC-MOSFET-Modul
Merkmale des SiC-MOSFET-Moduls RSC400FF120C8NS-S17:
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1.Automotive-Qualifizierung basierend auf AEC Q101
2.Ultra geringer Verlust
3.Hochfrequenzbetrieb
4. Null-Abschaltstrom vom MOSFET
5. Normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb
6. Einfache Parallelschaltung
7.Geringe Streuinduktivität
8.>4kV DC 1 Sek. Isolierung
9.Direkt gekühlte Pinfin-Grundplatte
10.Gehärtete DBC-Substrate für höchste Zuverlässigkeit
11. Integrierter NTC-Temperatursensor
12.Signalanschlüsse einpressen
13.UL 94 V0 Modulrahmen
14. Bleifrei, RoHS-konform -
RSC300HF170T2NH Daten-SiC-MOSFET-Modul
Merkmale des RSC300HF170T2NH-Daten-SiC-MOSFET-Moduls:
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• Extrem geringer Verlust
• Hochfrequenzbetrieb
• Null Sperrverzögerungsstrom von der Diode
• Null-Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET
• Normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb
• Einfache Parallelschaltung
• Kupfergrundplatte und Aluminiumnitrid-Isolator -
RSC300HF120T2NH SiC-MOSFET-Modul
Merkmale des RSC300HF120T2NH SiC-MOSFET-Moduls: Extrem geringer Verlust, Hochfrequenzbetrieb, Null Sperrverzögerungsstrom von der Diode, Null Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET, normalerweise ausgeschaltet, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, Kupfergrundplatte und Aluminiumnitrid-Isolator.
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RSC300FF120C8NS-S17 SiC-MOSFET-Modul
RSC300FF120C8NS-S17 SiC-MOSFET-Modulfunktionen: Automobilzulassung basierend auf AEC Q101, extrem geringer Verlust, Hochfrequenzbetrieb, Nullabschaltung, Tailstrom vom MOSFET, normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, geringe Streuinduktivität, >4 kV DC 1 Sek. Isolierung, direkt gekühlte Pinfin-Grundplatte, gehärtete DBC-Substrate für höchste Zuverlässigkeit, integrierter NTC-Temperatursensor, Presspassungs-Signalanschlüsse, UL 94 V0-Modulrahmen, bleifrei, entspricht den RoHS-Anforderungen.
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RSC200FF120C8NS-S04 SiC-MOSFET-Modul
Merkmale des SiC-MOSFET-Moduls RSC200FF120C8NS-S04:
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1.Automotive-Qualifizierung basierend auf AEC Q101
2.Ultra geringer Verlust
3.Hochfrequenzbetrieb
4. Null-Abschaltstrom vom MOSFET
5. Normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb
6. Einfache Parallelschaltung
7.Geringe Streuinduktivität
8.>4kV DC 1 Sek. Isolierung
9.Direkt gekühlte Pinfin-Grundplatte
10.Gehärtete DBC-Substrate für höchste Zuverlässigkeit
11. Integrierter NTC-Temperatursensor
12.Signalanschlüsse einpressen
13.UL 94 V0 Modulrahmen
14. Bleifrei, RoHS-konform