SiC und GaN

  • RSC300FF^20C8NS-S04 SiC-MOSFET-Modul

    RSC300FF^20C8NS-S04 SiC-MOSFET-Modul

    RSC300FF^20C8NS-S04 SiC-MOSFET-Modulfunktionen: Automobilqualifiziert auf Basis von AEC Q101, extrem geringer Verlust, Hochfrequenzbetrieb, Null-Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET, normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, geringe Streuinduktivität, >4 kV DC 1 Sek. Isolierung, direkt gekühlte Pinfin-Grundplatte, gehärtete DBC-Substrate für höchste Zuverlässigkeit, integrierter NTC-Temperatursensor, Signalanschlüsse mit Presspassung, UL 94 V0-Modulrahmen, bleifrei, entspricht den RoHS-Anforderungen.

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  • RSC400FF120C8NS-S04 SiC-MOSFET-Modul

    RSC400FF120C8NS-S04 SiC-MOSFET-Modul

    RSC400FF120C8NS-S04 SiC-MOSFET-Modulfunktionen: Automobilqualifiziert auf Basis von AEC Q101, extrem geringer Verlust, Hochfrequenzbetrieb, Null-Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET, normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, geringe Streuinduktivität, >4 kV DC 1 Sek. Isolierung, direkt gekühlte Pinfin-Grundplatte, gehärtete DBC-Substrate für höchste Zuverlässigkeit, integrierter NTC-Temperatursensor, Signalanschlüsse mit Presspassung, UL 94 V0-Modulrahmen, bleifrei, entspricht den RoHS-Anforderungen.

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  • RSC510FF120C8S-S07 SiC-MOSFET-Modul

    RSC510FF120C8S-S07 SiC-MOSFET-Modul

    RSC510FF120C8S-S07 SiC-MOSFET-Modulfunktionen: Automobilqualifiziert auf Basis von AEC Q101, niedriger RDS(on), Hochfrequenzbetrieb mit hoher Sperrspannung, resistent gegen Latch-up, hoher Gate-Widerstand für Antriebe, niedrige Streuinduktivität, >4 kV DC 1 Sek. Isolierung, direkt gekühlte Pinfin-Kupfergrundplatte, Si3N4 DBC-Isolator, Signalanschlüsse mit Presspassung, UL 94 V0-Modulrahmen, bleifrei, entspricht den RoHS-Anforderungen.

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  • RSC400L65A8H-S09 SiC-MOSFET-Modul

    RSC400L65A8H-S09 SiC-MOSFET-Modul

    Funktionen des SiC-MOSFET-Moduls RSC400L65A8H-S09: Extrem geringer Verlust, Hochfrequenzbetrieb, schnelle Rückwärtswiederherstellung, Null-Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET, normalerweise ausgeschaltet, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, Press-Fit-Signalstifte, NTC-Temperatursensor im Inneren, bleifrei, entspricht den RoHS-Anforderungen.

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  • RSC400FF120C8NS-S17 SiC-MOSFET-Modul

    RSC400FF120C8NS-S17 SiC-MOSFET-Modul

    Merkmale des SiC-MOSFET-Moduls RSC400FF120C8NS-S17:
    1.Automotive-Qualifizierung basierend auf AEC Q101
    2.Ultra geringer Verlust
    3.Hochfrequenzbetrieb
    4. Null-Abschaltstrom vom MOSFET
    5. Normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb
    6. Einfache Parallelschaltung
    7.Geringe Streuinduktivität
    8.>4kV DC 1 Sek. Isolierung
    9.Direkt gekühlte Pinfin-Grundplatte
    10.Gehärtete DBC-Substrate für höchste Zuverlässigkeit
    11. Integrierter NTC-Temperatursensor
    12.Signalanschlüsse einpressen
    13.UL 94 V0 Modulrahmen
    14. Bleifrei, RoHS-konform

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  • RSC300HF170T2NH Daten-SiC-MOSFET-Modul

    RSC300HF170T2NH Daten-SiC-MOSFET-Modul

    Merkmale des RSC300HF170T2NH-Daten-SiC-MOSFET-Moduls:
    • Extrem geringer Verlust
    • Hochfrequenzbetrieb
    • Null Sperrverzögerungsstrom von der Diode
    • Null-Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET
    • Normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb
    • Einfache Parallelschaltung
    • Kupfergrundplatte und Aluminiumnitrid-Isolator

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  • RSC300HF120T2NH SiC-MOSFET-Modul

    RSC300HF120T2NH SiC-MOSFET-Modul

    Merkmale des RSC300HF120T2NH SiC-MOSFET-Moduls: Extrem geringer Verlust, Hochfrequenzbetrieb, Null Sperrverzögerungsstrom von der Diode, Null Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET, normalerweise ausgeschaltet, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, Kupfergrundplatte und Aluminiumnitrid-Isolator.

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  • RSC300FF120C8NS-S17 SiC-MOSFET-Modul

    RSC300FF120C8NS-S17 SiC-MOSFET-Modul

    RSC300FF120C8NS-S17 SiC-MOSFET-Modulfunktionen: Automobilzulassung basierend auf AEC Q101, extrem geringer Verlust, Hochfrequenzbetrieb, Nullabschaltung, Tailstrom vom MOSFET, normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, geringe Streuinduktivität, >4 kV DC 1 Sek. Isolierung, direkt gekühlte Pinfin-Grundplatte, gehärtete DBC-Substrate für höchste Zuverlässigkeit, integrierter NTC-Temperatursensor, Presspassungs-Signalanschlüsse, UL 94 V0-Modulrahmen, bleifrei, entspricht den RoHS-Anforderungen.

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  • RSC200FF120C8NS-S04 SiC-MOSFET-Modul

    RSC200FF120C8NS-S04 SiC-MOSFET-Modul

    Merkmale des SiC-MOSFET-Moduls RSC200FF120C8NS-S04:
    1.Automotive-Qualifizierung basierend auf AEC Q101
    2.Ultra geringer Verlust
    3.Hochfrequenzbetrieb
    4. Null-Abschaltstrom vom MOSFET
    5. Normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb
    6. Einfache Parallelschaltung
    7.Geringe Streuinduktivität
    8.>4kV DC 1 Sek. Isolierung
    9.Direkt gekühlte Pinfin-Grundplatte
    10.Gehärtete DBC-Substrate für höchste Zuverlässigkeit
    11. Integrierter NTC-Temperatursensor
    12.Signalanschlüsse einpressen
    13.UL 94 V0 Modulrahmen
    14. Bleifrei, RoHS-konform

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