RSC300HF120T2NH SiC-MOSFET-Modul
RSC300HF120T2NH SiC-MOSFET-Modul
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
Merkmale des RSC300HF120T2NH SiC-MOSFET-Moduls: Extrem geringer Verlust, Hochfrequenzbetrieb, Null Sperrverzögerungsstrom von der Diode, Null Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET, normalerweise ausgeschaltet, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, Kupfergrundplatte und Aluminiumnitrid-Isolator.
RSC300HF120T2NH SiC-MOSFET-Modulanwendungen
Induktionserwärmung
Motortreiber
Solar- und Windwechselrichter
USV und SMPS
Traktion
RSC300HF120T2NH SiC-MOSFET-Moduldaten
Größe und Tag:
