RSC200FF120C8NS-S17 SiC-MOSFET-Modul

RSC200FF120C8NS-S17 SiC-MOSFET-Modul
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
RSC200FF120C8NS-S17 SiC-MOSFET-Modulfunktionen: Automobilqualifiziert auf Basis von AEC Q101, extrem geringer Verlust, Hochfrequenzbetrieb, Null-Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET, normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, geringe Streuinduktivität, >4 kV DC 1 Sek. Isolierung, direkt gekühlte Pinfin-Grundplatte, gehärtete DBC-Substrate für höchste Zuverlässigkeit, integrierter NTC-Temperatursensor, Presspassungs-Signalanschlüsse, UL 94 V0-Modulrahmen, bleifrei, entspricht den RoHS-Anforderungen.
RSC200FF120C8NS-S17 SiC-MOSFET-Modulanwendungen:
1.Solarwechselrichter
2. Hochspannungs-DC/DC-Wandler
3.Motorantriebe
4.EV-Ladegeräte
5.USV
RSC200FF120C8NS-S17 SiC-MOSFET-Moduldaten
Größe und Tag: