RSC200FF120C8NS-S04 SiC-MOSFET-Modul

RSC200FF120C8NS-S04 SiC-MOSFET-Modul
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
Merkmale des SiC-MOSFET-Moduls RSC200FF120C8NS-S04:
1.Automotive-Qualifizierung basierend auf AEC Q101
2.Ultra geringer Verlust
3.Hochfrequenzbetrieb
4. Null-Abschaltstrom vom MOSFET
5. Normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb
6. Einfache Parallelschaltung
7.Geringe Streuinduktivität
8.>4kV DC 1 Sek. Isolierung
9.Direkt gekühlte Pinfin-Grundplatte
10.Gehärtete DBC-Substrate für höchste Zuverlässigkeit
11. Integrierter NTC-Temperatursensor
12.Signalanschlüsse einpressen
13.UL 94 V0 Modulrahmen
14. Bleifrei, RoHS-konform
RSC200FF120C8NS-S04 SiC-MOSFET-Modulanwendungen:
Solar-Wechselrichter
Hochspannungs-DC/DC-Wandler
Motorantriebe
Ladegeräte für Elektrofahrzeuge
USV
RSC200FF120C8NS-S04 SiC-MOSFET-Moduldaten
Größe und Tag: