RSC510FF120C8S-S07 SiC-MOSFET-Modul
RSC510FF120C8S-S07 SiC-MOSFET-Modul
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
RSC510FF120C8S-S07 SiC-MOSFET-Modulfunktionen: Automobilqualifiziert auf Basis von AEC Q101, niedriger RDS(on), Hochfrequenzbetrieb mit hoher Sperrspannung, resistent gegen Latch-up, hoher Gate-Widerstand für Antriebe, niedrige Streuinduktivität, >4 kV DC 1 Sek. Isolierung, direkt gekühlte Pinfin-Kupfergrundplatte, Si3N4 DBC-Isolator, Signalanschlüsse mit Presspassung, UL 94 V0-Modulrahmen, bleifrei, entspricht den RoHS-Anforderungen.
RSC510FF120C8S-S07 SiC-MOSFET-Modulanwendungen:
1.Automobilanwendung
2. Elektrofahrzeuge
3.Motorantriebe
RSC510FF120C8S-S07 SiC-MOSFET-Moduldaten
Größe und Tag:
