SiC und GaN

Funktionen des RTS12005: Null Sperrverzögerungsstrom, Null Vorwärtsverzögerungsspannung, temperaturunabhängiges Schaltverhalten, Hochtemperaturbetrieb, Hochfrequenzbetrieb.

RTS06506-Funktionen: Null Sperrverzögerungsstrom, Null Vorwärtsverzögerungsspannung, temperaturunabhängiges Schaltverhalten, Hochtemperaturbetrieb, Hochfrequenzbetrieb.

RTS06508-Funktionen: Null Sperrverzögerungsstrom, Null Vorwärtsverzögerungsspannung, temperaturunabhängiges Schaltverhalten, Hochtemperaturbetrieb, Hochfrequenzbetrieb.

Merkmale des SiC-MOSFET-Moduls RSC300L65A8H-S09: Extrem niedriger Verlust, Hochfrequenzbetrieb, schnelle Rückwärtswiederherstellung, Null-Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET, normalerweise ausgeschaltet, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, Press-Fit-Signalstifte, NTC-Temperatursensor im Inneren, bleifrei, RoHS-konform.

RT1D12020T3 – 1200 V, 20 A, SiC-Schottky-Diode. Merkmale: Maximale Sperrschichttemperatur 175 °C, hohe Stoßstromkapazität, Null Sperrverzögerungsstrom, Null Vorwärtsverzögerungsspannung, Hochfrequenzbetrieb, temperaturunabhängiges Schaltverhalten, positiver Temperaturkoeffizient bei Vf.

RT1D12010T2 – 1200 V, 10 A, SiC-Schottky-Diode. Merkmale: Maximale Sperrschichttemperatur 175 °C, hohe Stoßstromkapazität, kein Sperrverzögerungsstrom, keine Durchlassverzögerungsspannung, Hochfrequenzbetrieb, temperaturunabhängiges Schaltverhalten, positiver Temperaturkoeffizient bei Vf.

RT1D12010BC – 1200 V 10 A Siliziumkarbid-Schottky-Diodenchip – Eigenschaften:
• Max. Sperrschichttemperatur 175°C
• Hohe Stoßstromkapazität
• Null Sperrverzögerungsstrom
• Null-Durchlass-Wiederherstellungsspannung
• Hochfrequenzbetrieb
• Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
• Positiver Temperaturkoeffizient auf Vf

Merkmale des SiC-MOSFET-Moduls RSC150TL65B9H-S09: Extrem niedriger Verlust, Hochfrequenzbetrieb, schnelle Rückwärtswiederherstellung, Null-Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET, normalerweise ausgeschaltet, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, Press-Fit-Signalstifte, NTC-Temperatursensor im Inneren, bleifrei, RoHS-konform.

Funktionen des SiC-MOSFET-Moduls RSC200L65A8H-S09: Extrem geringer Verlust, Hochfrequenzbetrieb, schnelle Rückwärtswiederherstellung, Null-Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET, normalerweise ausgeschaltet, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, Press-Fit-Signalstifte, NTC-Temperatursensor im Inneren, bleifrei, entspricht den RoHS-Anforderungen.