RSC150TL65B9H-S09 SiC-MOSFET-Modul
RSC150TL65B9H-S09 SiC-MOSFET-Modul
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
Merkmale des SiC-MOSFET-Moduls RSC150TL65B9H-S09: Extrem niedriger Verlust, Hochfrequenzbetrieb, schnelle Rückwärtswiederherstellung, Null-Abschalt-Tail-Strom vom MOSFET, normalerweise ausgeschaltet, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, Press-Fit-Signalstifte, NTC-Temperatursensor im Inneren, bleifrei, RoHS-konform.
RSC150TL65B9H-S09 SiC-MOSFET-Modulanwendungen:
Solar-Wechselrichter
Motorantriebe
USV
RSC150TL65B9H-S09 SiC-MOSFET-Moduldaten
Größe und Tag:
