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RT1D12010BC – 1200 V 10 A Siliziumkarbid-Schottky-Diodenchip

RT1D12010BC – 1200 V 10 A Siliziumkarbid-Schottky-Diodenchip

marke Rongtech
Die HERKUNFT der Produkte China
Die lieferzeit 7 Tage
Die fähigkeit, 30000

RT1D12010BC – 1200 V 10 A Siliziumkarbid-Schottky-Diodenchip – Eigenschaften:
• Max. Sperrschichttemperatur 175°C
• Hohe Stoßstromkapazität
• Null Sperrverzögerungsstrom
• Null-Durchlass-Wiederherstellungsspannung
• Hochfrequenzbetrieb
• Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
• Positiver Temperaturkoeffizient auf Vf

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RT1D12010BC – 1200 V 10 A Siliziumkarbid-Schottky-Diodenchip. Anwendungen:

1. Solarstrom-Boost

2. Wechselrichter-Freilaufdioden

3. Wiener 3-Phasen-PFC

4. AC/DC-Wandler

5. Schaltnetzteil

RT1D12010BC – 1200 V 10 A Siliziumkarbid-Schottky-Diodenchipdaten

RT1D12010BC - 1200V 10A Silicon Carbide Schottky Diode Chip