RHR30F60DB
RHR30F60DB
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
Beschreibung der RHR30F60DB: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen (EMI/RFI) in Hochfrequenz-Leistungsaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden macht sie in den meisten Anwendungen als Snubber erforderlich. Diese Bauelemente eignen sich ideal für HF-Schweißstromrichter und andere Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.
RHR30F60DB Eigenschaften
1. Ultraschnelle Wiederherstellung
2. 175 °C Betriebssperrschichttemperatur
3. Hochfrequenzbetrieb
4. Geringer Leistungsverlust, weniger HF- und elektromagnetische Störungen
5. Niedriger Ir-Wert
6. Hohe Stoßspannungsfestigkeit
7. Epitaktischer Chipaufbau
RHR30F60DB-Daten
Größe und Tag:
