RHR30F30SF2

marke Rongtech
Die HERKUNFT der Produkte China
Die lieferzeit 7 Tage
Die fähigkeit, 30000

Beschreibung von RHR30F30SF2: Diese Dioden sind auf geringere Verluste und elektromagnetische Störungen (EMI/RFI) in Hochfrequenz-Leistungsaufbereitungssystemen optimiert. Das sanfte Erholungsverhalten der Dioden macht sie in den meisten Anwendungen als Snubber erforderlich. Diese Bauelemente eignen sich ideal für HF-Schweißstromrichter und andere Anwendungen, bei denen die Schaltverluste keinen signifikanten Anteil an den Gesamtverlusten haben.

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RHR30F30SF2 Eigenschaften

1. Ultraschnelle Wiederherstellung

2. 175 °C Betriebssperrschichttemperatur

3. Hochfrequenzbetrieb

4. Geringer Leistungsverlust, weniger HF- und elektromagnetische Störungen

5. Niedriger Ir-Wert

6. Hohe Stoßspannungsfestigkeit

7. Epitaktischer Chipaufbau

RHR30F30SF2-Daten

RHR30F30SF2