IGBT

Merkmale des RSC300HF170T2NH SiC-MOSFET-Moduls: Extrem geringer Verlust, Hochfrequenzbetrieb, kein Sperrverzögerungsstrom von der Diode, kein Abschaltreststrom vom MOSFET, normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, Kupfergrundplatte und Aluminiumnitrid-Isolator.

Funktionen des RT100P20T6H-M IGBT-Moduls:
1. Feldstopp-Trench-Gate-IGBT
2. Kurzschlussfestigkeit > 10 µs
3. Niedrige Sättigungsspannung
4. Geringe Schaltverluste
5. 100 % RBSOA-getestet (2xlc)
6. Geringe Streuinduktivität
7. Bleifrei, RoHS-konform

1.1200V200A,VCE(sat)(typ.)=2.1V
2.Lower losses and higher energy
3.Excellent short circuit ruggedness

Rongtech 650V Trench Field Stop IGBTs bieten geringe Schaltverluste, hohe Energieeffizienz und hohe Lawinenfestigkeit für Bewegungen
Steuerung, Solaranwendung und Schweißgerät.

RGW40N120T1B 1200 V/40 A Trench Field Stop IGBT – Funktionen:
1. Hohe Durchbruchspannung bis 1200 V für verbesserte Zuverlässigkeit
2. Angebot der Trench-Stop-Technologie:
 eine sehr enge Parameterverteilung
 b. Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
 c.Kurzschlussfestigkeitszeit - 10 µs
 d.Hohe Robustheit, temperaturstabil
 e.Niedriger VCE(SAT) > Einfache Parallelschaltfähigkeit aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in VCE(SAT).
3. Verbesserte Lawinensicherheit

RGW40N120F1A 1200 V/40 A Trench Field Stop IGBT – Funktionen:
• Hohe Durchbruchspannung bis 1200 V für verbesserte Zuverlässigkeit
• Angebot der Trench-Stop-Technologie:
1) Hochgeschwindigkeitsschaltung
2) Hohe Robustheit, Temperaturstabilität
3) Niedriger VCEsat
4) Einfache Parallelschaltung durch positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat
• Verbesserte Lawinensicherheit

Rongtech Field Stop Trench IGBTs bieten geringe Schaltverluste, hohe Energieeffizienz und hohe Lawinenfestigkeit für sanft schaltende Anwendungen wie Induktionsheizung, Mikrowellenherde usw.

Funktionen des GTS40FB120T5HB IGBT-Moduls:
· Kurzschlussfestigkeit >10 µs
· Niedrige Sättigungsspannung: VCE (sat) = 2,15 V @ Ic = 40 A, Tc = 25 °C
· Geringe Schaltverluste
· 100 % RBSOA-getestet (2x|c)
· Geringe Streuinduktivität
· Bleifrei, RoHS-konform

1200 V/25 A PIM in einem Paket
• Trench + Filed Stop IGBT-Technologie
• 10 µs Kurzschlussfestigkeit
• VcE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
• Gehäuse mit niedriger Induktivität
• Schnelle und sanfte Rückwärtswiederherstellung mit antiparallelem FWD
• Isolierte Kupfergrundplatte mit DBC-Technologie