RSC300HF170T2NH SiC-MOSFET-Modul
RSC300HF170T2NH SiC-MOSFET-Modul
- Rongtech
- China
- 7 Tage
- 30000
Merkmale des RSC300HF170T2NH SiC-MOSFET-Moduls: Extrem geringer Verlust, Hochfrequenzbetrieb, kein Sperrverzögerungsstrom von der Diode, kein Abschaltreststrom vom MOSFET, normalerweise ausgeschalteter, ausfallsicherer Gerätebetrieb, einfache Parallelschaltung, Kupfergrundplatte und Aluminiumnitrid-Isolator.
RSC300HF170T2NH SiC-MOSFET-Modulanwendungen
HF-Resonanzkonverter/Inver
Motortreiber
Solar- und Windinverterers
USV und SMPS
Traktion
RSC300HF170T2NH SiC-MOSFET-Moduldaten
Größe und Tag:
