IGBT-Module und SiC-MOSFETs sind beide für die Leistungswandlung von großem Wert, erfüllen jedoch unterschiedliche Designprioritäten. IGBT-Module sind ausgereift, zuverlässig, kostengünstig und für viele konventionelle industrielle Stromversorgungssysteme geeignet. SiC-MOSFETs bieten schnellere Schaltzeiten, geringere Schaltverluste, einen höheren Wirkungsgrad und eine bessere Leistungsdichte und sind daher für anspruchsvolle, hocheffiziente Designs attraktiv. Die optimale Wahl hängt von der Leistung, der Spannungsklasse, der Schaltfrequenz, dem angestrebten Wirkungsgrad, dem Wärmemanagement, der Ansteuerbarkeit, den EMV-Anforderungen, den Kosten und der Anwendungsumgebung ab. Anstatt zu fragen, welches Bauteil generell besser ist, sollten Ingenieure sich fragen, welches den besten Gesamtnutzen für das finale Leistungswandlungsprodukt bietet.

SiC-MOSFET-Module stellen eine bahnbrechende Technologie für Solarwechselrichter dar. Dank der überlegenen Materialeigenschaften von Siliziumkarbid erzielen sie einen enormen Effizienzsprung durch drastisch reduzierte Schalt- und Leitungsverluste. Dies maximiert nicht nur den Energieertrag, sondern ermöglicht auch eine höhere Leistungsdichte, verbesserte Zuverlässigkeit und niedrigere Systemkosten und festigt damit ihre Rolle als Eckpfeiler der Solarenergieumwandlungssysteme der nächsten Generation.