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17-05-2025
Hall-Effekt-Sensor mit geschlossenem Regelkreis
Der Aufstieg von Wide-Bandgap-Halbleitern (SiC/GaN) und ultraschneller Ladeinfrastruktur erfordert Sensoren mit höheren Bandbreiten (> 500 kHz) und verbesserter thermischer Belastbarkeit. Die Integration digitaler Schnittstellen (I²C, SPI) und eingebetteter Diagnosefunktionen (z. B. Selbstkalibrierung, Fehlermeldung) wird das Systemdesign weiter optimieren. Innovationen bei nanokristallinen Magnetkernen und MEMS-basierten Hall-Elementen könnten die Genauigkeit auf über ±0,05 % steigern.
